1-5KE33CA

1-5KE33CA

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.45fr
5-24
0.34fr
25-49
0.30fr
50-99
0.27fr
100+
0.23fr
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1-5KE33CA. Alloggiamento: DO-27. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Corrente di impulso max.: 33.3A. Corrente di perdita: 1uA. Corrente impulsiva di picco (10/1000us): 33A. Dissipazione di potenza di picco: 1500W. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500 W @ 1ms. Funzione: Protezione contro la sovratensione. IFSM: 200A. Informazioni: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5 kW. Potenza: 1.5kW. Proprietà del semiconduttore: Glass passivato. RoHS: sì. Serie: 1.5KE. Struttura a semiconduttore: bidirezionale. Struttura dielettrica: bidirezionale. Struttura: bidirezionale. Temperatura massima: +175°C.. Tensione di mantenimento della direzione di chiusura [V]: 28.2V. Tensione di rottura (min): 31.4V. Tensione di rottura: 33V. Tensione di soglia Vf (max): 5V. Tensione diretta Vf (min): 3.5V. Tensione massima inversa: 28.2V. Tipo di diodo: TVS. Tipo di montaggio: THT. Tipo di soppressore di transitori: bidirezionale. Tolleranza: 5%. Ubr [V] @ Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Voltaggio di stallo inverso: 28.2V. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità in stock aggiornata il 24/11/2025, 03:42

Documentazione tecnica (PDF)
1-5KE33CA
35 parametri
Alloggiamento
DO-27
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 28.2V
Corrente di impulso max.
33.3A
Corrente di perdita
1uA
Corrente impulsiva di picco (10/1000us)
33A
Dissipazione di potenza di picco
1500W
Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]
1500 W @ 1ms
Funzione
Protezione contro la sovratensione
IFSM
200A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.5 kW
Potenza
1.5kW
Proprietà del semiconduttore
Glass passivato
RoHS
Serie
1.5KE
Struttura a semiconduttore
bidirezionale
Struttura dielettrica
bidirezionale
Struttura
bidirezionale
Temperatura massima
+175°C.
Tensione di mantenimento della direzione di chiusura [V]
28.2V
Tensione di rottura (min)
31.4V
Tensione di rottura
33V
Tensione di soglia Vf (max)
5V
Tensione diretta Vf (min)
3.5V
Tensione massima inversa
28.2V
Tipo di diodo
TVS
Tipo di montaggio
THT
Tipo di soppressore di transitori
bidirezionale
Tolleranza
5%
Ubr [V] @ Ibr [A]
34.7V @ 1mA
Voltaggio di stallo inverso
28.2V
Prodotto originale del produttore
Lge Technology