12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.19fr
5-24
0.99fr
25-49
0.88fr
50-99
0.79fr
100+
0.68fr
Quantità in magazzino: 133

12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 330A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Do: 183pF. Equivalenti: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Struttura dielettrica: catodo comune. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/12/2025, 03:22

Documentazione tecnica (PDF)
12CWQ10FN
19 parametri
Corrente diretta (AV)
12A
IFSM
330A
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
VRRM
100V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Do
183pF
Equivalenti
VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
2
RoHS
Spec info
Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V
Struttura dielettrica
catodo comune
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.95V
Tensione diretta Vf (min)
0.85V
Prodotto originale del produttore
Vishay