1N4448GEG, DO35. Alloggiamento: DO35. Assemblaggio/installazione: THT. Confezione: Ammo Pack. Corrente di impulso max.: 4A. Potenza: 0.5W. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. RoHS: no. Struttura a semiconduttore: diodo. Tempo di reazione: 4ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1V. Tensione di soglia: 1V. Tensione massima inversa: 100V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di semiconduttore: diodo. Prodotto originale del produttore: DC Components. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 16:24