1N5819, DO-15, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V

1N5819, DO-15, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0432fr
50-99
0.0367fr
100-249
0.0327fr
250+
0.0263fr
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1N5819, DO-15, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AL. Corrente diretta (AV): 1A. Corrente diretta [A]: 1A. IFSM: 25A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.5mA..10mA. Corrente di impulso max.: 30A. Do: 55pF. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Guida corrente: 1A. Ifsm [A]: 40A. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 40V. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione di soglia: 600mV. Tensione diretta Vf (min): 0.6V. Tensione massima inversa: 40V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18

Documentazione tecnica (PDF)
1N5819
36 parametri
Alloggiamento
DO-15
Custodia (standard JEDEC)
DO-204AL
Corrente diretta (AV)
1A
Corrente diretta [A]
1A
IFSM
25A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( 5.2X2.7mm )
VRRM
40V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
0.5mA..10mA
Corrente di impulso max.
30A
Do
55pF
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore Schottky
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Guida corrente
1A
Ifsm [A]
40A
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--25Ap, t=8.3ms
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+125°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
40V
Tensione di soglia Vf (max)
0.9V
Tensione di soglia
600mV
Tensione diretta Vf (min)
0.6V
Tensione massima inversa
40V
Tipo di diodo
Diodo raddrizzatore Schottky
[V]
0.6V @ 1A
Prodotto originale del produttore
Lge Technology
Quantità minima
10

Prodotti e/o accessori equivalenti per 1N5819