2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V
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2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V. Corrente continua massima: 4A. Alloggiamento: TO-126. VDRM: 600V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione di picco (ripetitiva) Urrm [V]: 600V. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di attivazione del gate Igt: 3mA. Corrente effettiva (periodica) Iav [A], max.: 4A. Famiglia di componenti: Triac standard. Igm1 [A]: 15mA. Igm2 [A]: -15mA. Igm3 [A]: -15mA. Igm4 [A]: 20mA. Marcatura del produttore: 2N6075BG. Numero di terminali: 3. Peak Currente (non ripetitiva) IP [A]: 30A. Proprietà del semiconduttore: Cancello sensibile. RoHS: sì. Temperatura massima: +110°C.. Tipo: TRIAC. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:05
2N6075BG
20 parametri
Corrente continua massima
4A
Alloggiamento
TO-126
VDRM
600V
Tensione di picco (ripetitiva) Urrm [V]
600V
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di attivazione del gate Igt
3mA
Corrente effettiva (periodica) Iav [A], max.
4A
Famiglia di componenti
Triac standard
Igm1 [A]
15mA
Igm2 [A]
-15mA
Igm3 [A]
-15mA
Igm4 [A]
20mA
Marcatura del produttore
2N6075BG
Numero di terminali
3
Peak Currente (non ripetitiva) IP [A]
30A
Proprietà del semiconduttore
Cancello sensibile
RoHS
sì
Temperatura massima
+110°C.
Tipo
TRIAC
Prodotto originale del produttore
Onsemi