4N25-LIT. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 20...50 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Diodo IF Courant (picco): 3A. Diodo IF: 60mA. Equivalenti: LTV-4N25. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 0.1W. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tf (tipo): 3us. Uscita: uscita a transistor con base. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Vebo: 7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Prodotto originale del produttore: Lite-on. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:30