6N136-F. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 19...24 %. Corrente del collettore: 8mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Diodo IF Courant (picco): 50mA. Diodo IF: 25mA. Ic(impulso): 16mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Potenza diodo: 45mW. RoHS: sì. Spec info: High speed, 1MBit/s. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di soglia del diodo: 1.45V. Uscita: uscita a transistor. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Velocità di trasmissione: 1 MBit/s. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:30