BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0315fr
50-99
0.0279fr
100-499
0.0245fr
500+
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BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 50 ns. Do: 5pF. Funzione: Diodo di commutazione ad alta tensione. Marcatura sulla cassa: JS. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD JS. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. RM (max): 100uA. RM (min): 0.1uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01

Documentazione tecnica (PDF)
BAS21
24 parametri
Corrente diretta (AV)
200mA
IFSM
625mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo Trr (min.)
50 ns
Do
5pF
Funzione
Diodo di commutazione ad alta tensione
Marcatura sulla cassa
JS
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
serigrafia/codice SMD JS
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
1
RM (max)
100uA
RM (min)
0.1uA
RoHS
sì
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione diretta Vf (min)
1V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10