BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.30fr
5-49
0.22fr
50-99
0.18fr
100+
0.17fr
Quantità in magazzino: 861

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. Corrente diretta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 1.5us. Do: 4pF. Funzione: Diodo a bassa dispersione. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: bassa corrente inversa. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura: +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Unità di condizionamento: 5000. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01

Documentazione tecnica (PDF)
BAS45A
22 parametri
Corrente diretta (AV)
250mA
IFSM
1A
Alloggiamento
DO-34 ( SOD68 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-34 ( 3.4x1.6mm )
VRRM
125V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
rotolo
Diodo Trr (min.)
1.5us
Do
4pF
Funzione
Diodo a bassa dispersione
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
bassa corrente inversa
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura
+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1V
Tensione diretta Vf (min)
0.78V
Unità di condizionamento
5000
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors