BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0337fr
50-99
0.0301fr
100-199
0.0265fr
200+
0.0232fr
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BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Corrente diretta (AV): 200mA. Corrente diretta [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 2uA. Diodo Trr (min.): 5 ns. Do: 10pF. Famiglia di componenti: doppio diodo Schottky, montaggio SMD. Funzione: Doppio diodo Schottky. Ifsm [A]: 0.6A. Marcatura sulla cassa: L42 o V3. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 2. RM (max): 2uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Struttura dielettrica: anodo comune. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18

Documentazione tecnica (PDF)
BAT54A-215
32 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente diretta (AV)
200mA
Corrente diretta [A]
0.2A
IFSM
600mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
2uA
Diodo Trr (min.)
5 ns
Do
10pF
Famiglia di componenti
doppio diodo Schottky, montaggio SMD
Funzione
Doppio diodo Schottky
Ifsm [A]
0.6A
Marcatura sulla cassa
L42 o V3
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
2
RM (max)
2uA
RoHS
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Struttura dielettrica
anodo comune
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
30 v
Tensione di soglia Vf (max)
800mV
Tensione diretta Vf (min)
240mV
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10