BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0261fr
50-99
0.0221fr
100-249
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250+
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BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 250V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.25A. Corrente diretta (AV): 0.25A. Corrente diretta [A]: 0.25A. IFSM: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Capacità: 1.5pF. Condizionamento: Ammo Pack. Confezione: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 100nA..15uA. Corrente di dispersione inversa: 100nA / 200V. Corrente di impulso max.: 1A. Diodo Trr (min.): 50 ns. Do: 5pF. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Funzione: Diodi per uso generale. Ifsm [A]: 1A. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BAV. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura massima: +200°C.. Tempo di reazione: 50ns. Tempo di recupero inverso (max): 50ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione di soglia: 1V, 1.1V. Tensione diretta (massima): <1.0V / 0.1A. Tensione diretta Vf (min): 1V. Tensione massima inversa: 250V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di montaggio: THT. Tipo di semiconduttore: diodo. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1V @ 100mA. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:15

Documentazione tecnica (PDF)
BAV21
47 parametri
Alloggiamento
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
250V
Corrente raddrizzata media per diodo
0.25A
Corrente diretta (AV)
0.25A
Corrente diretta [A]
0.25A
IFSM
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-35
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Capacità
1.5pF
Condizionamento
Ammo Pack
Confezione
Ammo Pack
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
100nA..15uA
Corrente di dispersione inversa
100nA / 200V
Corrente di impulso max.
1A
Diodo Trr (min.)
50 ns
Do
5pF
Famiglia di componenti
Diodo al silicio per piccolo segnale
Funzione
Diodi per uso generale
Ifsm [A]
1A
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BAV
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura massima
+200°C.
Tempo di reazione
50ns
Tempo di recupero inverso (max)
50ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
200V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione di soglia
1V, 1.1V
Tensione diretta (massima)
<1.0V / 0.1A
Tensione diretta Vf (min)
1V
Tensione massima inversa
250V
Tipo di diodo
diodo di commutazione
Tipo di montaggio
THT
Tipo di semiconduttore
diodo
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
50 ns
[V]
1V @ 100mA
Prodotto originale del produttore
Vishay
Quantità minima
10