BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Corrente diretta (AV): 215mA. Corrente diretta [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 150nA..50uA. Corrente di impulso max.: 2A. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 1.5pF. Famiglia di componenti: doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD). Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ifsm [A]: 1A. Marcatura sulla cassa: A4W. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD A4p_A4t_A4w. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Potenza: 350mW. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. Quantità per scatola: 2. RM (max): 100uA. RM (min): 30nA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Struttura dielettrica: catodo comune. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di reazione: 4ns, 6ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 70V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.25V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione di soglia: 1V. Tensione diretta Vf (min): 715mV. Tensione massima inversa: 100V, 70V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di semiconduttore: diodo. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:15