BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

Qnéuantità
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BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (standard JEDEC): -. Corrente diretta (AV): 200mA. Corrente diretta [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT323. VRRM: 85V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 30nA..150uA. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 2pF. Famiglia di componenti: doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD). Funzione: Ultra High Speed Switching. Ifsm [A]: 4A. Marcatura sulla cassa: A1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD A1. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 2. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Struttura dielettrica: anodo comune. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 90V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01

Documentazione tecnica (PDF)
BAW56W
34 parametri
Alloggiamento
SOT-323
Corrente diretta (AV)
200mA
Corrente diretta [A]
0.15A
IFSM
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT323
VRRM
85V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
30nA..150uA
Diodo Trr (min.)
4 ns
Do
2pF
Famiglia di componenti
doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD)
Funzione
Ultra High Speed Switching
Ifsm [A]
4A
Marcatura sulla cassa
A1
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
serigrafia/codice SMD A1
Numero di terminali
2
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
2
RM (max)
50uA
RM (min)
0.15uA
RoHS
Spec info
Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms
Struttura dielettrica
anodo comune
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
90V
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione diretta Vf (min)
0.715V
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors
Quantità minima
10