BPW17N

BPW17N

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.53fr
5-24
0.44fr
25-49
0.37fr
50-99
0.33fr
100+
0.27fr
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BPW17N. Alloggiamento: 1.8mm (T-3/4). Angolo di rilevamento: 12.5°. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Corrente continua massima: 100mA. Corrente del collettore: 50mA. Costo): 8pF. Custodia (standard JEDEC): -. Diametro esterno [mm]: 1.8mm. Diametro/dimensioni: 1.8mm. Diametro: 1.8mm. Famiglia di componenti: fototransistor. Funzione: Fototransistor. Id(imp): 100mA. Larghezza esterna [mm]: 2.4mm. Lunghezza d onda (dominante): 825nm. Lunghezza d onda dominante [nm]: 825nm. Lunghezza d onda: 780nm. Lunghezza esterna [mm]: 3.3mm. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±12°. Nota: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. Numero di terminali: 2. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5us. RoHS: sì. Spessore esterno [mm]: 3.4mm. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Temperatura massima: +100°C.. Tempo di accensione tr [μsec.]: 4.8us. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: NPN. VECO: 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:30

Documentazione tecnica (PDF)
BPW17N
34 parametri
Alloggiamento
1.8mm (T-3/4)
Angolo di rilevamento
12.5°
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A], max.
50mA
Corrente continua massima
100mA
Corrente del collettore
50mA
Costo)
8pF
Diametro esterno [mm]
1.8mm
Diametro/dimensioni
1.8mm
Diametro
1.8mm
Famiglia di componenti
fototransistor
Funzione
Fototransistor
Id(imp)
100mA
Larghezza esterna [mm]
2.4mm
Lunghezza d onda (dominante)
825nm
Lunghezza d onda dominante [nm]
825nm
Lunghezza d onda
780nm
Lunghezza esterna [mm]
3.3mm
Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]
±12°
Nota
t(on) 4.8us, t(off) 5.0us
Numero di terminali
2
Ritardo di spegnimento tf [μsec.]
5us
RoHS
Spessore esterno [mm]
3.4mm
Temperatura di funzionamento
-40...+100°C
Temperatura massima
+100°C.
Tempo di accensione tr [μsec.]
4.8us
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
32V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
NPN
VECO
5V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
32V
Prodotto originale del produttore
Vishay