BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

Qnéuantità
Prezzo unitario
5-49
0.0873fr
50-99
0.0789fr
100-199
0.0714fr
200+
0.0580fr
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BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Alloggiamento: DO-27. Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 800V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Corrente diretta (AV): 3A. Corrente diretta [A]: 3A. IFSM: 200A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Confezione: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Corrente di impulso max.: 100A. Diodo Trr (min.): 500 ns. Do: 65pF. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr&lt;500ns). Funzione: commutazione ad alta velocità. Guida corrente: 3A. Ifsm [A]: 110A. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Proprietà del semiconduttore: commutazione ad alta velocità. Quantità per scatola: 1. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Serie: BY399. Spec info: 200Ap. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di reazione: 500ns. Tempo di recupero inverso (max): 500ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 800V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.3V. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione di soglia: 1.3V, 1.25V. Tensione diretta (massima): <1.2V / 3A. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Tensione massima inversa: 800V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 500 ns. [V]: 1.2V @ 3A. Prodotto originale del produttore: Dc Components Co. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:24

Documentazione tecnica (PDF)
BY399
49 parametri
Alloggiamento
DO-27
VRRM
800V
Corrente raddrizzata media per diodo
3A
Corrente diretta (AV)
3A
Corrente diretta [A]
3A
IFSM
200A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-27 ( 9.5x5.6mm )
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Confezione
Ammo Pack
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA
Corrente di impulso max.
100A
Diodo Trr (min.)
500 ns
Do
65pF
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore veloce (tr&lt;500ns)
Funzione
commutazione ad alta velocità
Guida corrente
3A
Ifsm [A]
110A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Proprietà del semiconduttore
commutazione ad alta velocità
Quantità per scatola
1
RM (max)
150uA
RM (min)
10uA
RoHS
Serie
BY399
Spec info
200Ap
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di reazione
500ns
Tempo di recupero inverso (max)
500ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
800V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.3V
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione di soglia
1.3V, 1.25V
Tensione diretta (massima)
<1.2V / 3A
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Tensione massima inversa
800V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Tipo di montaggio
THT
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
500 ns
[V]
1.2V @ 3A
Prodotto originale del produttore
Dc Components Co
Quantità minima
5