Corrente raddrizzata media per diodo
5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA
Corrente di dispersione inversa
<5uA / 800V
Corrente di impulso max.
200A
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns)
Funzione
diodo raddrizzatore veloce al silicio
Materiale semiconduttore
silicio
Proprietà del semiconduttore
commutazione ad alta velocità
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-50...+175°C
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di recupero inverso (max)
200ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
800V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.3V
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione diretta (massima)
<1.3V / 5A
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Tensione massima inversa
800V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
200 ns
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor