BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.21fr
5-24
0.20fr
25-49
0.18fr
50-99
0.16fr
100+
0.14fr
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BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 5A. Corrente raddrizzata media per diodo: 5A. IFSM: 200A. Corrente diretta [A]: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Confezione: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Corrente di dispersione inversa: <5uA / 800V. Corrente di impulso max.: 200A. Diodo Trr (min.): 200 ns. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr&lt;500ns). Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Guida corrente: 20A. Ifsm [A]: 220A. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Proprietà del semiconduttore: commutazione ad alta velocità. Quantità per scatola: 1. RM (max): 10uA. RoHS: no. Serie: BY500. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di reazione: 200ns. Tempo di recupero inverso (max): 200ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 800V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.3V. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta (massima): <1.3V / 5A. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Tensione massima inversa: 800V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 200 ns. [V]: 1.3V @ 5A. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57

Documentazione tecnica (PDF)
BY500-800
45 parametri
Alloggiamento
DO-201
VRRM
800V
Corrente diretta (AV)
5A
Corrente raddrizzata media per diodo
5A
IFSM
200A
Corrente diretta [A]
5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Confezione
Ammo Pack
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA
Corrente di dispersione inversa
<5uA / 800V
Corrente di impulso max.
200A
Diodo Trr (min.)
200 ns
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore veloce (tr&lt;500ns)
Funzione
diodo raddrizzatore veloce al silicio
Guida corrente
20A
Ifsm [A]
220A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Proprietà del semiconduttore
commutazione ad alta velocità
Quantità per scatola
1
RM (max)
10uA
RoHS
no
Serie
BY500
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-50...+175°C
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di reazione
200ns
Tempo di recupero inverso (max)
200ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
800V
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.3V
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione diretta (massima)
<1.3V / 5A
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Tensione massima inversa
800V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Tipo di montaggio
THT
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
200 ns
[V]
1.3V @ 5A
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor

Prodotti e/o accessori equivalenti per BY500-800