| Quantità in magazzino: 388 |
DB102G, 1A, 100V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.21fr
5-24
0.18fr
25-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100+
0.12fr
| Equivalenza disponibile | |
| Quantità in magazzino: 152 |
DB102G, 1A, 100V. Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 100V. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Do: 25pF. IFSM: 30A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. Quantità per scatola: 4. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Trifase: 0. Prodotto originale del produttore: Kingtronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:33
DB102G
21 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
VRRM
100V
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-4
Do
25pF
IFSM
30A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Passo
5.08mm
Quantità per scatola
4
RM (max)
500uA
RM (min)
10uA
RoHS
sì
Spec info
IFSM--50Ap
Struttura dielettrica
Ponte di diodi
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Trifase
0
Prodotto originale del produttore
Kingtronics