DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (standard JEDEC): -. Corrente diretta [A]: 2x123A. Corrente diretta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: vite. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1mA..20mA. Diodo Trr (min.): 35 ns. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore al silicio. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. Ifsm [A]: 1200A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 357W. Quantità per scatola: 2. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. RoHS: sì. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. Unità di condizionamento: 10. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.1V @ 120A. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 11:43