DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.37fr
5-9
6.82fr
10-24
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DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): TO-247AD. Corrente diretta [A]: 30A. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 200A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 250uA..1mA. Diodo Trr (min.): 40 ns. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Funzione: Diodo recupero graduale. Ifsm [A]: 200A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. Quantità per scatola: 1. RM (max): 1mA. RM (min): 250uA. RoHS: sì. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensione di soglia Vf (max): 2.74V. Tensione diretta Vf (min): 1.78V. Unità di condizionamento: 30. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 40 ns. [V]: 2.74V @ 30A. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:03

Documentazione tecnica (PDF)
DSEP30-12A
35 parametri
Alloggiamento
TO-247
Custodia (standard JEDEC)
TO-247AD
Corrente diretta [A]
30A
Corrente diretta (AV)
30A
IFSM
200A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
250uA..1mA
Diodo Trr (min.)
40 ns
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns)
Funzione
Diodo recupero graduale
Ifsm [A]
200A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
165W
Quantità per scatola
1
RM (max)
1mA
RM (min)
250uA
RoHS
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Tecnologia
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Temperatura massima
+175°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensione di soglia Vf (max)
2.74V
Tensione diretta Vf (min)
1.78V
Unità di condizionamento
30
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
40 ns
[V]
2.74V @ 30A
Prodotto originale del produttore
IXYS