DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
10.26fr
5-9
9.31fr
10-14
11.20fr
15-29
8.61fr
30-59
7.51fr
60+
6.71fr
Quantità in magazzino: 27

DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Corrente diretta (AV): 70A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 40 ns. Funzione: Diodo recupero graduale. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Quantità per scatola: 1. RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. RoHS: sì. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. Unità di condizionamento: 30. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:03

Documentazione tecnica (PDF)
DSEP60-12A
24 parametri
Corrente diretta (AV)
70A
IFSM
500A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Diodo Trr (min.)
40 ns
Funzione
Diodo recupero graduale
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
190W
Quantità per scatola
1
RM (max)
2.5mA
RM (min)
650uA
RoHS
Spec info
500Ap t=10ms, TVJ=45°C
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Tecnologia
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
2.66V
Tensione diretta Vf (min)
1.74V
Unità di condizionamento
30
Prodotto originale del produttore
IXYS