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FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.30fr
5-24
0.27fr
25-49
0.23fr
50-99
0.21fr
100+
0.18fr
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| Equivalenza disponibile | |
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FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 500 ns. Do: 100pF. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:35
FR607
20 parametri
Corrente diretta (AV)
6A
IFSM
200A
Alloggiamento
DO-201
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 )
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
500 ns
Do
100pF
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
200uA
RM (min)
10uA
RoHS
sì
Spec info
IFSM--200Ap/8.3mS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.2V
Tensione diretta Vf (min)
1.2V
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor