GBI10J, 10A, 600V

GBI10J, 10A, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.17fr
5-24
0.99fr
25-49
0.87fr
50-99
0.79fr
100+
0.68fr
Quantità in magazzino: 70

GBI10J, 10A, 600V. Corrente diretta (AV): 10A. VRRM: 600V. Alloggiamento: SIP / SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x3.6mm. Equivalenti: KBJ10J. IFSM: 160A. Marcatura sulla cassa: +~~-. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. Quantità per scatola: 4. RM (max): 5uA. RoHS: sì. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 17:59

Documentazione tecnica (PDF)
GBI10J
19 parametri
Corrente diretta (AV)
10A
VRRM
600V
Alloggiamento
SIP / SIL
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (secondo scheda tecnica)
30x20x3.6mm
Equivalenti
KBJ10J
IFSM
160A
Marcatura sulla cassa
+~~-
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Passo
10x7.5x7.5mm
Quantità per scatola
4
RM (max)
5uA
RoHS
Struttura dielettrica
Ponte di diodi
Temperatura di funzionamento
-50...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc.