IRF1010NPBF
Qnéuantità
Prezzo unitario
2-3
2.14fr
4-49
1.96fr
50-99
1.64fr
100-399
1.60fr
400+
1.50fr
| Quantità in magazzino: 118 |
IRF1010NPBF. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 85A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Polarità: MOSFET N. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità minima: 2. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
IRF1010NPBF
10 parametri
Alloggiamento
TO220AB
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
85A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
180W
Polarità
MOSFET N
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di montaggio
THT
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
55V
Prodotto originale del produttore
Infineon
Quantità minima
2