IRF7314TRPBF
Qnéuantità
Prezzo unitario
4-7
1.47fr
8-19
1.42fr
20-99
1.30fr
100-499
1.19fr
500-999
1.11fr
1000+
1.06fr
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IRF7314TRPBF. Alloggiamento: SO8. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 5.3A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Polarità: MOSFET P. Serie: HEXFET. Tensione di azionamento: -. Tensione gate/source Vgs max: -12V. Tipo di montaggio: SMD. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -20V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità minima: 4. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
IRF7314TRPBF
10 parametri
Alloggiamento
SO8
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
5.3A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Polarità
MOSFET P
Serie
HEXFET
Tensione gate/source Vgs max
-12V
Tipo di montaggio
SMD
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-20V
Prodotto originale del produttore
Infineon
Quantità minima
4