IRFB3206PBF
Qnéuantità
Prezzo unitario
2-3
2.50fr
4-19
2.42fr
20-49
2.16fr
50-349
2.04fr
350+
1.82fr
| Quantità in magazzino: 85 |
IRFB3206PBF. Alloggiamento: TO220. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 210A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Polarità: MOSFET N. Serie: HEXFET. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità minima: 2. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
IRFB3206PBF
11 parametri
Alloggiamento
TO220
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
210A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Polarità
MOSFET N
Serie
HEXFET
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di montaggio
THT
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
60V
Prodotto originale del produttore
Infineon
Quantità minima
2