IRLML6402PBF
Qnéuantità
Prezzo unitario
10-19
0.63fr
20-99
0.61fr
100-499
0.55fr
500-1999
0.49fr
2000+
0.46fr
| Quantità in magazzino: 4561 |
IRLML6402PBF. Alloggiamento: SOT23. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 3.7A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Polarità: MOSFET P. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): -. Serie: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -. Tensione di azionamento: -. Tensione gate/source Vgs max: -12V. Tipo di montaggio: SMD. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -20V. Vgs (th) (max) @ id: -. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
IRLML6402PBF
10 parametri
Alloggiamento
SOT23
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
3.7A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.3W
Polarità
MOSFET P
Serie
HEXFET
Tensione gate/source Vgs max
-12V
Tipo di montaggio
SMD
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-20V
Prodotto originale del produttore
Infineon
Quantità minima
10