LTV817C

LTV817C

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.23fr
5-49
0.20fr
50-99
0.17fr
100-199
0.15fr
200+
0.13fr
Quantità in magazzino: 342

LTV817C. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 200...400 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Diodo IF: 50mA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 70mW. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Tf (tipo): 3us. Tr: 4us. Uscita: uscita a transistor. VECO: 6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Vrm: 5000V. Prodotto originale del produttore: Lite-on. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:29

Documentazione tecnica (PDF)
LTV817C
20 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
CTR
200...400 %
Corrente del collettore
50mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-4
Diodo IF
50mA
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150mW
Potenza diodo
70mW
RoHS
Temperatura di funzionamento
-30...+110°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tensione di soglia del diodo
1.2V
Tf (tipo)
3us
Tr
4us
Uscita
uscita a transistor
VECO
6V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
35V
Vrm
5000V
Prodotto originale del produttore
Lite-on