M51387P
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.16fr
5-9
1.88fr
10-24
1.58fr
25+
1.43fr
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M51387P. Alloggiamento: DIP30. Classe di amplificazione: -. Configurazione memoria: -. Configurazione: -. Consumo di corrente [mA]: -. Corrente di uscita massima: -. Custodia (standard JEDEC): -. Dimensione memoria [byte]: -. Famiglia di circuiti di memoria: -. Famiglia di componenti: -. Larghezza di banda [MHz]: -. Numero di circuiti: -. Numero di terminali: 30. Resistenza: -. RoHS: no. Temperatura massima: -. Tipo di circuiti: -. Tipo di ingresso: -. Tipo di interfaccia: -. Velocità di commutazione [ns]: -. Velocità di risposta [V/us]: -. Voltaggio massimo in uscita: -. [MHz]: -. [UN]: -. [V]: -.. [W]: -. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:20
M51387P
4 parametri
Alloggiamento
DIP30
Numero di terminali
30
RoHS
no
Prodotto originale del produttore
Mitsubishi Electric Semiconductor