MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A

MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A

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MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Corrente diretta [A]: 2 X 3A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.1mA..15mA. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Ifsm [A]: 75A. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 50V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 3A. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:31

MBRD650CTT4G
13 parametri
Alloggiamento
D-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-252
Corrente diretta [A]
2 X 3A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
0.1mA..15mA
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD
Ifsm [A]
75A
Numero di terminali
3
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
50V
[V]
0.7V @ 3A
Prodotto originale del produttore
Onsemi