MOCD207M

MOCD207M

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.12fr
5-24
0.94fr
25-49
0.81fr
50-99
0.74fr
100+
0.63fr
Quantità in magazzino: 54

MOCD207M. Alloggiamento: SMD. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). CTR: 100...200 %. Corrente del collettore: 150mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP SMD-8. Diodo IF Courant (picco): 1 A (PW=100us, 120pps). Diodo IF: 60mA. Funzione: Uscita fototransistor, doppio canale. Marcatura sulla cassa: D207. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 90mW. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione di soglia del diodo: 1.05V. Tf (tipo): 4.7us. Tr: 3.2us. Uscita: uscita a transistor. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:33

MOCD207M
23 parametri
Alloggiamento
SMD
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
CTR
100...200 %
Corrente del collettore
150mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP SMD-8
Diodo IF Courant (picco)
1 A (PW=100us, 120pps)
Diodo IF
60mA
Funzione
Uscita fototransistor, doppio canale
Marcatura sulla cassa
D207
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150mW
Potenza diodo
90mW
RoHS
Temperatura di funzionamento
-40...+100°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tensione di soglia del diodo
1.05V
Tf (tipo)
4.7us
Tr
3.2us
Uscita
uscita a transistor
VECO
7V
VRRM
3750V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor