Modulo IGBT SKM40GD123D

Modulo IGBT SKM40GD123D

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
220.96fr
2-3
212.27fr
4-5
204.29fr
6+
198.34fr
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito

Modulo IGBT SKM40GD123D. Alloggiamento: altro. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1600pF. Corrente del collettore: 40A. Costo): 260pF. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: 3 CH. Ic(T=100°C): 30A. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 17. Peso: 170g. RoHS: sì. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Td(acceso): 70 ns. Td(spento): 400 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di canale: N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Semikron. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40

Documentazione tecnica (PDF)
SKM40GD123D
27 parametri
Alloggiamento
altro
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1600pF
Corrente del collettore
40A
Costo)
260pF
Custodia (secondo scheda tecnica)
altro
Dimensioni
106.4x61.4x30.5mm
Diodo CE
Diodo al germanio
no
Funzione
3 CH
Ic(T=100°C)
30A
Ic(impulso)
100A
Numero di terminali
17
Peso
170g
RoHS
Spec info
IFSM--350Ap (t=10ms)
Td(acceso)
70 ns
Td(spento)
400 ns
Temperatura di funzionamento
-40...+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
4.5V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
3V
Tipo di canale
N
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
1200V
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
6.5V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
Semikron