MUR4100E, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V

MUR4100E, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.66fr
5-24
0.56fr
25-49
0.49fr
50-99
0.44fr
100+
0.38fr
Quantità in magazzino: 68

MUR4100E, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 50 ns. Equivalenti: MUR4100ERLG. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR4100E. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:43

Documentazione tecnica (PDF)
MUR4100E
18 parametri
Corrente diretta (AV)
4A
IFSM
70A
Alloggiamento
DO-201
Custodia (secondo scheda tecnica)
D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
50 ns
Equivalenti
MUR4100ERLG
Funzione
Ultrafast Switchmode Power Rectifiers
Marcatura sulla cassa
MUR4100E
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Tensione di soglia Vf (max)
1.85V
Tensione diretta Vf (min)
1.53V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor