MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V

MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.14fr
5-24
0.99fr
25-49
0.89fr
50-99
0.83fr
100+
0.74fr
Quantità in magazzino: 109

MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U860. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:43

Documentazione tecnica (PDF)
MUR860G
21 parametri
Corrente diretta (AV)
8A
IFSM
100A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AC
VRRM
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
50 ns
Funzione
diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching
Marcatura sulla cassa
U860
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
500uA
RM (min)
10uA
RoHS
Spec info
diodo raddrizzatore ultraveloce
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.5V
Tensione diretta Vf (min)
1.2V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor