RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V

RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
0.21fr
10-49
0.15fr
50-99
0.14fr
100+
0.13fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 737

RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 250 ns. Do: 15pF. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Prodotto originale del produttore: General Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:14

Documentazione tecnica (PDF)
RGP10J
22 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
30A
Alloggiamento
DO-204
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-204AL ( 2.7x5.2mm )
VRRM
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
250 ns
Do
15pF
Funzione
Diodo raddrizzatore a commutazione rapida
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
GI, S
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
200uA
RM (min)
5uA
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Prodotto originale del produttore
General Semiconductor

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