S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0379fr
50-99
0.0315fr
100-199
0.0284fr
200+
0.0238fr
Disponibili altri +266887 pezzi in magazzino (consegna entro 4 ore). Contattaci per prezzi e disponibilità!
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 442
Min.: 10

S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC. Alloggiamento: DO-214. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Corrente diretta (AV): 1A. Corrente diretta [A]: 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Corrente di dispersione inversa: <50uA / 1000V. Corrente di impulso max.: 30A. Corrente di perdita: 5uA. Diodo Trr (min.): 1.8us. Do: 12pF. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Guida corrente: 6A. Ifsm [A]: 32A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura sulla cassa: 1M. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: S1. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di reazione: 1.5us. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta (massima): <1.1V / 1A. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Tensione massima inversa: 1kV. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: SMD. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:14

Documentazione tecnica (PDF)
S1M
47 parametri
Alloggiamento
DO-214
Custodia (standard JEDEC)
DO-214AC
VRRM
1000V
Corrente raddrizzata media per diodo
1A
Corrente diretta (AV)
1A
Corrente diretta [A]
1A
IFSM
30A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SMA DO214AC
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA..50uA
Corrente di dispersione inversa
<50uA / 1000V
Corrente di impulso max.
30A
Corrente di perdita
5uA
Diodo Trr (min.)
1.8us
Do
12pF
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD)
Funzione
diodi raddrizzatori per uso generale
Guida corrente
6A
Ifsm [A]
32A
Marcatura sulla cassa
1M
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
alloggiamento 4,6x2,7 mm
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
S1
Spec info
IFSM--30Ap t=10mS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+155°C
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di reazione
1.5us
Tempo di recupero inverso (max)
1500ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
1 kV
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione diretta (massima)
<1.1V / 1A
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Tensione massima inversa
1kV
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Tipo di montaggio
SMD
[V]
1.1V @ 1A
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor
Quantità minima
10

Prodotti e/o accessori equivalenti per S1M