SB1100, DO-41, 100V, 1A, 1A, 40A, DO-41 ( DO-204AL )

SB1100, DO-41, 100V, 1A, 1A, 40A, DO-41 ( DO-204AL )

Qnéuantità
Prezzo unitario
5-24
0.0870fr
25-49
0.0756fr
50-99
0.0687fr
100+
0.0579fr
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SB1100, DO-41, 100V, 1A, 1A, 40A, DO-41 ( DO-204AL ). Alloggiamento: DO-41. VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 1A. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. IFSM: 40A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione del diodo: indipendente. Corrente di dispersione inversa: 500uA / 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Informazioni: -. MSL: n/a. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Serie: SB1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta (massima): <0.79V / 1A. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Tipo di diodo: debole. Tipo di montaggio: THT. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:36

Documentazione tecnica (PDF)
SB1100
27 parametri
Alloggiamento
DO-41
VRRM
100V
Corrente diretta (AV)
1A
Corrente raddrizzata media per diodo
1A
IFSM
40A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( DO-204AL )
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione del diodo
indipendente
Corrente di dispersione inversa
500uA / 100V
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
5mA
RM (min)
0.5mA
RoHS
Serie
SB1
Spec info
IFSM--40Ap T=8.3mS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-50...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.79V
Tensione diretta (massima)
<0.79V / 1A
Tensione diretta Vf (min)
0.79V
Tipo di diodo
debole
Tipo di montaggio
THT
Prodotto originale del produttore
Lge Technology
Quantità minima
5