SI4435DDY-T1-GE3
Qnéuantità
Prezzo unitario
5-9
0.96fr
10-49
0.92fr
50-199
0.82fr
200-999
0.76fr
1000+
0.69fr
| Quantità in magazzino: 191 |
SI4435DDY-T1-GE3. Alloggiamento: SO8. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 11.4A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Polarità: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: SMD. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -30V. Prodotto originale del produttore: Vishay Siliconix. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
SI4435DDY-T1-GE3
10 parametri
Alloggiamento
SO8
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
11.4A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
5W
Polarità
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di montaggio
SMD
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-30V
Prodotto originale del produttore
Vishay Siliconix
Quantità minima
5