TA8101N

TA8101N

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.58fr
5-24
5.07fr
25-49
4.58fr
50+
4.47fr
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TA8101N. Alloggiamento: DIP30. Classe di amplificazione: -. Configurazione memoria: -. Configurazione: -. Consumo di corrente [mA]: -. Corrente di uscita massima: -. Custodia (standard JEDEC): -. Dimensione memoria [byte]: -. Famiglia di circuiti di memoria: -. Famiglia di componenti: -. Larghezza di banda [MHz]: -. Numero di circuiti: -. Numero di terminali: 30. Resistenza: -. RoHS: no. Temperatura massima: -. Tipo di circuiti: -. Tipo di ingresso: -. Tipo di interfaccia: -. Velocità di commutazione [ns]: -. Velocità di risposta [V/us]: -. Voltaggio massimo in uscita: -. [MHz]: -. [UN]: -. [V]: -.. [W]: -. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 24/11/2025, 15:20

TA8101N
4 parametri
Alloggiamento
DIP30
Numero di terminali
30
RoHS
no
Prodotto originale del produttore
Toshiba