TCET1103G
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.48fr
5-49
0.36fr
50-99
0.33fr
100+
0.29fr
| Quantità in magazzino: 171 |
TCET1103G. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 100...200 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Diodo IF Courant (picco): 1.5A. Diodo IF: 60mA. Ic(impulso): 100mA. Nota: Vce 70V. Numero di terminali: 4. Passo: 10.16mm. Potenza diodo: 0.1W. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Uscita: uscita a transistor. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50
TCET1103G
21 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
CTR
100...200 %
Corrente del collettore
50mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-4
Diodo IF Courant (picco)
1.5A
Diodo IF
60mA
Ic(impulso)
100mA
Nota
Vce 70V
Numero di terminali
4
Passo
10.16mm
Potenza diodo
0.1W
RoHS
sì
Temperatura di funzionamento
-40...+100°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione di soglia del diodo
1.25V
Uscita
uscita a transistor
VECO
7V
VRRM
5000V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
70V
Prodotto originale del produttore
Vishay