TLP181. Alloggiamento: SO-4. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). CTR: 100...600 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 11-4C1. Diodo IF Courant (picco): 1A. Diodo IF: 50mA. Funzione: GaAs IR e fototransistor. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: P181G. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Spec info: Ingresso CA-CC, adattatore CA, scheda di interfaccia I/O. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Tf (tipo): 3us. Tr: 2us. Uscita: uscita a transistor. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50