TLP185GR. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). CTR: 100...400 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 11-4M1S. Diodo IF Courant (picco): 1A. Diodo IF: 50mA. Funzione: GaAs IR e fototransistor. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: P185GB. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Tf (tipo): 9us. Tr: 5us. Uscita: uscita a transistor. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50