TLP620T
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.64fr
5-24
0.51fr
25-49
0.45fr
50+
0.40fr
| Quantità in magazzino: 17 |
TLP620T. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 50...600 %. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Diodo IF Courant (picco): 1A. Diodo IF: 60mA. Funzione: Ingresso tensione CA o CC. Nota: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 0.1W. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Tf (tipo): 3us. Tr: 2us. Uscita: uscita a transistor. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 55V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 19/12/2025, 08:07
TLP620T
23 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
CTR
50...600 %
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-4
Diodo IF Courant (picco)
1A
Diodo IF
60mA
Funzione
Ingresso tensione CA o CC
Nota
uscita a transistor
Numero di terminali
4
Passo
7.62mm
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150mW
Potenza diodo
0.1W
RoHS
sì
Temperatura di funzionamento
-50...+100°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tensione di soglia del diodo
1.15V
Tf (tipo)
3us
Tr
2us
Uscita
uscita a transistor
VECO
7V
VRRM
5000V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
55V
Prodotto originale del produttore
Toshiba