TLP627

TLP627

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.83fr
5-49
0.71fr
50-99
0.61fr
100-199
0.55fr
200+
0.47fr
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Quantità in magazzino: 167

TLP627. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 1000...4000%. Corrente del collettore: 150mA. Ctr@se: 1000%@1mA. 1000-4000%@1mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Diodo IF: 60mA. Numero di canali: 1. Potenza diodo: 0.1W. RoHS: sì. Tensione (collettore - emettitore): 4.87k Ohms. Tensione di isolamento: 5kV. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tf (tipo): 15us. Tipo di semiconduttore: Accoppiatore ottico. Tipo di uscita: transistor. Tr: 40us. Uscita: Uscita a transistor Darlington. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vrm: 5000V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/12/2025, 21:52

Documentazione tecnica (PDF)
TLP627
23 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
CTR
1000...4000%
Corrente del collettore
150mA
Ctr@se
1000%@1mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-4
Diodo IF
60mA
Numero di canali
1
Potenza diodo
0.1W
RoHS
Tensione (collettore - emettitore)
4.87k Ohms
Tensione di isolamento
5kV
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.2V
Tensione di soglia del diodo
1.15V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tf (tipo)
15us
Tipo di semiconduttore
Accoppiatore ottico
Tipo di uscita
transistor
Tr
40us
Uscita
Uscita a transistor Darlington
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
300V
Vrm
5000V
Prodotto originale del produttore
Toshiba