TPS2812P
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1-4
3.46fr
5-24
3.06fr
25-49
2.76fr
50+
2.50fr
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TPS2812P. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Custodia (standard JEDEC): -. Famiglia di componenti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. Numero di circuiti: 2. Numero di terminali: 8:1. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Temperatura massima: +125°C.. Tipo di circuiti: Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT. [V]: +14V/40V. Prodotto originale del produttore: Texas Instruments. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:23
TPS2812P
14 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-8
Famiglia di componenti
Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT
Numero di circuiti
2
Numero di terminali
8:1
Numero di terminali
8:1
RoHS
sì
Temperatura di funzionamento
-40...+85°C
Temperatura massima
+125°C.
Tipo di circuiti
Circuito di pilotaggio MOSFET/IGBT
[V]
+14V/40V
Prodotto originale del produttore
Texas Instruments