Transistor a canale N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.115A. Marcatura del produttore: 72. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27