Transistor a canale N 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. C(in): 1300pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Transistor MOSFET N. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 8A. Id(imp): 24A. Marcatura del produttore: K1120. Marcatura sulla cassa: K1120. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Peso: 4.6g. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. RoHS: sì. Spec info: Applicazione convertitore DC-DC e azionamento motore. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26