Transistor a canale N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Diodo Trr (min.): 500 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(acceso): 32 ns. Td(spento): 200 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Hitachi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26