Transistor a canale N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V

Descrizione tecnica del prodotto (2SK1213):

Voltaggio Vds(max): 600V. Idss (massimo): 300uA. ID (T=25°C): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Tecnologia: V-MOS-L. Protezione GS: no. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 40 ns. Quantità per scatola: 1. Id(imp): 24A. Vgs(esimo) min.: 1.5V. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 460 ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione drain-source: diodo. Voltaggio gate/source Vgs: 20V