Transistor a canale N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 460 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 85 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03