Transistor a canale N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 200pF. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Funzione: Low Driving Power High Speed Switching. ID (min): 10uA. Id(imp): 23A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 300 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03