Transistor a canale N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor a canale N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.29fr
5-24
6.60fr
25-49
6.08fr
50+
5.69fr
Quantità in magazzino: 12

Transistor a canale N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Diodo Trr (min.): 650 ns. Funzione: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 63 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2480
28 parametri
ID (T=25°C)
3A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
3.2 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
900pF
Costo)
130pF
Diodo Trr (min.)
650 ns
Funzione
applicazioni di commutazione ad alta tensione
Id(imp)
12A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
63 ns
Tecnologia
transistor MOSFET
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
2.5V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Nec